L'Ingénieur(e) en nano micro électronique travaillera sur l'étude des impacts des rayons irradiants sur les cartes électroniques, mémoires Flash et autres composants afin de mieux comprendre leur évolution au cours du temps.
En collaboration avec le responsable de la société vous contribuerez à exploiter l’aspect non destructif de la technologie pour améliorer la seconde vie des produits.
En collaboration avec le responsable de la société vous contribuerez à monter votre propre équipe de recherche dont le but sera d’exploiter l’aspect non destructif de la technologie pour améliorer la seconde vie des produits.
Activités :
· Mettre en œuvre et faire le suivi des expériences d’irradiation par RX
· Définir et mettre au point les conditions d'irradiation et les adapter
· Préparer et conduire les expériences de caractérisation post-irradiation en collaboration avec une équipe de techniciens réparateurs spécialisés en micro soudure
· Exploiter les résultats, isoler et tester les composants irradiés et proposer de nouvelles préconisations de conservation.
· Vérifier l’impact des RX sur les mémoires Flash (vérification électronique)
· Rechercher des méthodes à l’industrialisation des process
· Concevoir la V2 de la machine iirradiante en gestation
· Rédiger des rapports ou des documents techniques
Compétences :
Une expérience de 4 ans minimum dans une société ou laboratoire de recherches
Savoirs :
· - Nano-électronique et microélectronique,
- Circuit intégré, Circuit numérique,
- Informatique (Binaire, Hexadécimal, etc)
- Programmation (MatLab, Python, C++, ou autre)
- Gestion de projet (Gant, Rapport, Cahier des charges, Amdec, etc)
- En complément : Notion sur les Rayons X, Semi-conducteur Notions matériaux dopés,
· Ingénieur expérimenté en électronique numérique (microcontrôleurs, mémoire EEPROM et FLASH, ...) DRAM, SRAM, intégration des mémoires Flash, des Bus externes (USB, PCIe, Ethernet), sécurité des circuits (intégrité, cryptage, authentification, .. ) race et Debug, sureté fonctionnelle
· Des connaissances en électronique analogique
· Instrumentation et mesure
· Connaissance de l'architecture des mémoires Flash
· Bonne expression écrite et orale en anglais : Niveau B1 à B2 (cadre
européen commun de référence pour les langues)
Savoir-faire :
· Maîtrise des outils de vérification électronique et informatiques nécessaires au pilotage des appareils et aux traitements des données ainsi que le test des composants type mémoire Flash isolés
· Capacité à élaborer une méthode scientifique et un cahier des charges technique
· Capacité à prendre en compte la validité et les limites de la méthode de caractérisation utilisée
· Savoir communiquer avec des experts de son domaine
· Rigueur / Fiabilité /Curiosité
Contexte :
Le pôle R&D de la société LE GSM existe depuis 2018 et consiste à étudier, développer et améliorer des process de reconditionnement des produits électroniques.
Il est situé à Ivry sur Seine sur les quais de Seine à proximité du périphérique de Paris.
Les travaux sur l’impact des rayons X existent depuis plus de 3 ans et ont permis de déposer un premier brevet sur une technologie disruptive.
Nous vous offrons de travailler sur des métiers passionnants dans un contexte de travail international et un environnement innovant et dynamique.
L'Ingénieur(e) en Nano et Micro électronique sera placé sous la responsabilité du directeur de l'unité et participera aux activités d’irradiation sur machine auto protégée, analyses et recommandations pour atteindre les objectifs fixés.
Type d'emploi : Temps plein, CDI
Rémunération : à partir de 60 000,00€ par an
Avantages :
- Prise en charge du transport quotidien
Formation:
- Bac +5 (Master / MBA) (Optionnel)
Expérience:
- société ou laboratoire de recherches: 4 ans (Requis)
- Ingénierie: 4 ans (Requis)
Langue:
Lieu du poste : En présentiel
