Cette thèse comprend des simulations optoélectroniques, des procédés de croissance par MBE et des processus en salle blanche, ainsi que la caractérisation structurelle, optique et électrique des matériaux et des dispositifs, avec les objectifs suivants :
(1) Optimisation du processus de croissance par MBE et compréhension de la dynamique de croissance à l’aide de mesures de surveillance
in situ,
(2) Procédés de fabrication en salle blanche, y compris les contraintes liées à la croissance du silicium et les conditions de caractérisation RF à respecter,
(3) Évaluations des performances des matériaux et des dispositifs, et boucle de rétroaction entre les caractérisations et les conditions de croissance.
Activités:
- Bibliographie et veille sur le domaine
- Conception des composants
- Epitaxie des matériaux, mesure et analyse des données
- Fabrication et caractérisation des composants
- Rédaction de rapports techniques
- Participations aux réunions de travail
La mission se déroulera dans les locaux du LAAS-CNRS à Toulouse.
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Le travail sera réalisé dans le cadre de la plateforme caractérisation du LAAS (zone optique) et nécessitera une formation en sécurité laser.
La rémunération est d'un minimum de 2300,00 € mensuel
44 jours
Pratique et indemnisation du TT
Prise en charge à 75% du coût et forfait mobilité durable jusqu’à 300€
Référence de l’offre
UPR8001-GUIALM-008
Section(s) CN / Domaine de recherche
Micro- et nanotechnologies, micro- et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique
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